存储芯片涨价潮愈演愈烈。
据最新消息,存储芯片巨头SK海力士表示,受人工智能(AI)客户强劲需求和供应增长有限的推动,预计存储芯片价格将在全年持续上涨。该公司还透露,今年没有任何一家客户能完全满足需求。
受涨价的利好 *** ,存储芯片概念股周五全线大涨,美股闪迪大涨超4%,美光科技涨超2%;SK海力士大涨超6%,创出历史新高。此前有消息称,三星电子正就其最新一代ai存储芯片进行定价谈判,价格较上一代产品更高上浮30%。
芯片巨头:价格将持续上涨
在最新召开的虚拟投资者会议上,SK海力士释放强烈信号:存储芯片行业已全面进入卖方市场。
SK海力士对今年的价格走势给出了非常明确的指引:受AI客户强劲需求和供应增长有限的推动,预计存储芯片价格将在全年持续上涨。
目前的供需紧张程度已经达到了近年来的高点,SK海力士向高盛透露:“今年没有任何一家客户能够完全满足其存储需求。”
关于供给端,SK海力士指出,全行业受限于洁净室(Clean room)空间的不足,供应增长受到物理限制。客户非常清楚,短期内存储产能无法显著增加。因此他们意识到,重复下单并不会带来更多的分配量,反而只会进一步推高价格。
从库存角度看,服务器客户的库存已达到健康水平,而PC和移动客户的库存正呈现下降趋势。
更为关键的是作为供应端的SK海力士,其自身库存已极其单薄。
该公司称:“我们在dram和NAND上的库存均处于正常水平,约为4周,并预计这一水平在全年将继续下降。”
另外,对于市场高度关注的HBM(高带宽内存),SK海力士明确表示,2026年的产能分配已成定局。2026年的HBM已全部售罄,满足客户需求的生产计划已经分配完毕。
SK海力士坦言,鉴于目前的生产计划,很难在2026年对HBM和标准型DRAM的产线进行有意义的调整。
由于标准型DRAM目前的供需极度紧张(Tight S/D),这为SK海力士在谈判桌上赢得了更多筹码,定价权更为稳固。
在此背景下,SK海力士透露,“正在与主要客户讨论多年期的长期合约”。
该公司认为,这种紧张局势“可能会为2027年的HBM业务带来更优惠的条款”。
另外,SK海力士在资本开支(Capex)上仍保持清醒。
公司确认今年的资本开支将超过去年,但强调将“继续坚持资本开支纪律”。投资的优先级非常清晰:核心聚焦于HBM和标准型DRAM。对于NAND业务,虽然恢复了部分投资(主要是向321层3D NAND迁移),但其在总资本开支中的占比将保持稳定(预计维持在低双位数百分比),不会盲目扩张。
存储芯片概念股全线大涨
美东时间2月20日,美股存储概念股全线大涨,闪迪大涨4.65%,美光科技涨超2%。当日亚洲交易时段,SK海力士大涨6.15%,股价再度创出历史新高;三星电子亦创出收盘历史新高。港股存储芯片概念股亦小幅走强,其中澜起科技一度大涨超8%,兆易创新一度涨近4%。
当天有报道称,存储芯片巨头三星电子正就其最新一代AI存储芯片的定价进行谈判,价格将较上一代高出至多30%。
盛宝银行首席投资策略师查鲁·查纳纳表示,有关三星 HBM4 的报道再次凸显了该行业的“定价权”,“这表明 AI 存储芯片市场供应依然紧张,同时三星认为自己在高端市场重新夺回了部分定价话语权”。
市场研究公司TrendForce预测,仅2026年之一季度,DRAM、NAND闪存的价格预计就将分别上涨90%至95%、55%至60%。
谷歌DeepMind首席执行官Demis Hassabis日前在接受采访时谈到了眼下席卷全球的“内存荒”。他表示,内存芯片“整个供应链”都受限,硬件层面的挑战“正限制着大量(AI)部署”。
英特尔ceo陈立武近日也警告称,AI 发展的瓶颈已从“算力”转移至“内存”及更广泛的基础设施系统。他直言,内存短缺问题在2028年之前都不会缓解。
Bernstein半导体行业分析师Mark Li警告称,内存价格正在呈现“抛物线式”上涨。虽然这将为三星电子、美光科技和SK海力士带来丰厚利润,但电子行业的其他领域将在未来数月付出沉重代价。
Counterpoint Research表示,内存成本上涨可能导致低端设备在经济上对电子公司而言难以为继。随着利润率的下降,一些低价智能手机可能会彻底退出市场。
责编:杨喻程
排版:汪云鹏
校对:姚远
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