华邦电子推出8Gb DDR4 DRAM：16nm制程 用于工业和嵌入式应用

12月5日，华邦电子正式发布全新8gb ddr4 dram芯片，该产品基于华邦自主研发的16nm先进制程工艺打造，兼具更高运行频率、更低功耗表现以及更强的成本竞争力，广泛适配智能电视、数据中心服务器、 *** 通信设备、工业控制计算机及各类嵌入式终端等多领域应用场景。

依托16nm制程技术，此次推出的DDR4内存芯片在多项关键指标上实现显著跃升。相较上一代制程，16nm工艺实现了更紧凑的芯片尺寸、更高的单片晶圆良率以及更出色的能效比，使客户无需更改现有封装规格即可实现DRAM容量升级。

制程升级同步增强了电气性能，有效改善信号传输质量，并大幅抑制静态漏电流，从而保障产品在3600Mbps超高数据速率下的长期稳定工作能力。

作为全球首批支持3600Mbps传输带宽的DDR4解决方案之一，华邦这款8Gb DDR4 DRAM已突破传统DDR4规范上限，可有力支撑AI边缘计算、高性能 *** 处理等对带宽敏感型应用的数据吞吐需求。同时，得益于16nm带来的面积缩减优势，相同封装内可容纳更大存储容量，助力终端系统进一步压缩BOM成本。

华邦电子具备涵盖芯片设计、16nm工艺研发及晶圆制造在内的全链条自主能力，可为工业级客户及KGD（Known good Die）用户提供高可靠性供应链保障与本地化技术支持服务。

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围绕同一16nm技术平台，华邦正积极推进三款衍生DRAM新品的研发进程，涵盖CUBE堆叠式内存、8Gb LPDDR4低功耗移动内存以及16Gb高密度DDR4内存，持续丰富其面向下一代智能设备的内存产品矩阵。