铠侠、闪迪寻求合作：计划在美国建设NAND晶圆厂

11月28日消息，据行业消息透露，存储巨头铠侠（kioxia）与闪迪（sandisk）正考虑在美国合作建设nand闪存制造工厂，这一动向被认为是对美日两国 *** 推动半导体供应链本土化战略的积极响应。

目前，铠侠与闪迪联合运营的NAND晶圆厂均坐落于日本国内，主要集中在四日市和北上市。放眼全球，约90%的NAND闪存产能集中于东亚地区，产业布局高度集聚。

值得注意的是，三星电子、SK海力士以及美光等主要存储厂商此前宣布的美国投资计划，重点均放在dram或HBM等领域，并未涵盖NAND闪存生产。 因此，若铠侠与闪迪此次在美建厂计划得以推进，将在NAND领域填补空白，具备重要的战略布局意义。

不过，在美国落地晶圆厂仍面临多重挑战。台积电亚利桑那州项目已提供先例：其凤凰城工厂自2020年5月宣布后，直到2021年4月才正式动工，量产时间较原定计划明显推迟，暴露出当地在工程执行效率、技术人才储备等方面的系统性难题。

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业内分析认为，即使双方最终敲定建厂方案，从选址、审批到设备安装调试，整个周期预计需要3至5年时间。 换言之，未来两三年内全球NAND闪存的供应格局仍将维持现状，新产能无法即时缓解当前市场供需压力。